電子產業的存儲器芯片檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統發揮著獨特作用，為保障數據存儲安全提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設備中用于存儲數據的關鍵部件，其存儲單元的質量直接決定了數據存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會導致數據丟失、讀寫錯誤等問題。通過對存儲器芯片施加電激勵，進行讀寫操作，缺陷存儲單元會因電荷存儲異常而產生異常溫度。鎖相熱成像系統能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產過程中篩選出合格的存儲器芯片，提高產品的合格率。例如，在檢測固態硬盤中的 NAND Flash 芯片時，系統可以發現存在壞塊的存儲單元區域，這些區域在讀寫操作時溫度明顯升高。通過標記這些壞塊并進行屏蔽處理，能夠有效保障數據存儲的安全，推動電子產業存儲領域的健康發展。在復合材料檢測中，電激勵能使缺陷區域產生獨特熱響應，鎖相熱成像系統可將這種響應轉化為清晰的缺陷圖像。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統圖像分析

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產生的異常熱輻射，實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常，導致微區溫度升高。顯微熱分布測試系統結合熱點鎖定技術，能夠高效識別這些區域。熱點鎖定是一種動態紅外熱成像方法，通過調節電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關鍵故障。半導體鎖相紅外熱成像系統分析鎖相熱成像系統通過識別電激勵引發的周期性熱信號，可有效檢測材料內部缺陷，其靈敏度遠超傳統熱成像技術。

鎖相熱成像系統與電激勵結合，為電子產業的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業快速定位失效原因，改進生產工藝。芯片失效的原因復雜多樣，可能是設計缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統的失效分析方法如切片分析、探針測試等，不僅操作復雜、耗時較長，而且可能會破壞失效芯片的原始狀態，難以準確找到失效根源。通過對失效芯片施加特定的電激勵，模擬其失效前的工作狀態，鎖相熱成像系統能夠記錄芯片表面的溫度變化過程，并將其與正常芯片的溫度數據進行對比分析，從而找出失效位置和失效原因。例如，當芯片因靜電損傷而失效時，系統會檢測到芯片的輸入端存在異常的高溫區域；當芯片因熱疲勞失效時，會在芯片的焊接點處發現溫度分布不均的現象。基于這些分析結果，企業可以有針對性地改進生產工藝，減少類似失效問題的發生。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正常現象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。鎖相熱紅外電激勵成像系統是由鎖相檢測模塊，紅外成像模塊，電激勵模塊，數據處理與顯示模塊組成。

在當今科技飛速發展的時代，電子設備的性能與可靠性至關重要。從微小的芯片到復雜的電路板，任何一個環節出現故障都可能導致整個系統的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發的實時瞬態鎖相熱分析系統（RTTLIT）應運而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業的失效分析領域帶來了全新的解決方案。

致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創新” 的理念，專注于電子產品失效分析儀器設備的研發與制造。 鎖相熱成像系統縮短電激勵檢測的響應時間。無損檢測鎖相紅外熱成像系統大全

鎖相熱成像系統放大電激勵下的微小溫度差異。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統圖像分析

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發的RTTLIT （實時瞬態鎖相熱分析系統），該技術的溫度靈敏度極高，部分型號甚至可達 0.0001℃，功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化，哪怕是芯片內部極為微小的漏電或局部發熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領域中具有無可比擬的優勢，能夠幫助工程師快速、準確地定位故障點，較大程度上的縮短了產品研發和故障排查的時間。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統圖像分析