相較于宏觀熱像儀（空間分辨率約50-100μm），熱紅外顯微鏡通過顯微光學(xué)系統(tǒng)將分辨率提升至1-10μm，且支持動(dòng)態(tài)電激勵(lì)與鎖相分析，能深入揭示微觀尺度的熱-電耦合失效機(jī)理。例如，傳統(tǒng)熱像儀能檢測(cè)PCB表面的整體熱分布，而熱紅外顯微鏡可定位某一焊點(diǎn)內(nèi)部的微裂紋導(dǎo)致的局部過熱。技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)當(dāng)前，熱紅外顯微鏡正朝著更高靈敏度（如量子點(diǎn)探測(cè)器提升光子捕捉能力）、多模態(tài)融合（集成EMMI光子探測(cè)、OBIRCH電阻分析）及智能化方向發(fā)展，部分設(shè)備已內(nèi)置AI算法自動(dòng)標(biāo)記異常熱點(diǎn)，為半導(dǎo)體良率提升、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)熱管理等應(yīng)用提供更高效的解決方案。熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法，三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。龍崗區(qū)熱紅外顯微鏡

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號(hào)，為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識(shí)別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時(shí)采取有效的維修或優(yōu)化措施。實(shí)時(shí)成像熱紅外顯微鏡24小時(shí)服務(wù)熱紅外顯微鏡利用其高分辨率，觀察半導(dǎo)體制造過程中的熱工藝缺陷 。

近年來，非制冷熱紅外顯微鏡價(jià)格呈下行趨勢(shì)。在技術(shù)進(jìn)步層面，國(guó)內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術(shù)不斷突破，像元間距縮小、陣列規(guī)模擴(kuò)大，從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，如大立科技等企業(yè)推動(dòng)技術(shù)升級(jí)，提升生產(chǎn)效率，降低單臺(tái)設(shè)備成本。同時(shí)，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，多家本土廠商崛起，如我司推出非制冷型鎖相紅外顯微鏡，打破進(jìn)口壟斷格局，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，促使產(chǎn)品價(jià)格更加親民。

通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建熱圖像識(shí)別模型，可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識(shí)別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動(dòng)比對(duì)正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點(diǎn)，有效縮短分析時(shí)間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能，結(jié)合實(shí)驗(yàn)測(cè)得的熱數(shù)據(jù)，反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù)，從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象，為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計(jì)提供量化指導(dǎo)。熱紅外顯微鏡的高精度熱檢測(cè)，為電子設(shè)備可靠性提供保障 。

致晟光電熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列中的 RTTLIT P20 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)，采用鎖相熱成像（Lock-inThermography）技術(shù)，通過調(diào)制電信號(hào)提升特征分辨率與靈敏度，并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，實(shí)現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號(hào)測(cè)量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測(cè)器，測(cè)溫靈敏度達(dá)0.1mK，顯微分辨率低至2μm，具備良好的檢測(cè)靈敏度與測(cè)試效能。該系統(tǒng)重點(diǎn)應(yīng)用于對(duì)測(cè)溫精度和顯微分辨率要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景，包括半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、LED及microLED等的失效分析，是電子集成電路與半導(dǎo)體器件失效分析及缺陷定位領(lǐng)域的關(guān)鍵工具。熱紅外顯微鏡在電子產(chǎn)品研發(fā)階段，輔助優(yōu)化熱管理方案 。非制冷熱紅外顯微鏡技術(shù)參數(shù)

量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體的襯底熱阻、結(jié)溫分布，優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。龍崗區(qū)熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡在半導(dǎo)體IC裸芯片熱檢測(cè)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。對(duì)于半導(dǎo)體IC裸芯片而言，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)精密且集成度高，微小的熱異常都可能影響芯片性能甚至導(dǎo)致失效，因此熱檢測(cè)至關(guān)重要。熱紅外顯微鏡能夠非接觸式地對(duì)裸芯片進(jìn)行熱分布成像與分析，清晰捕捉芯片工作時(shí)的溫度變化情況。它可以定位芯片上的熱點(diǎn)區(qū)域，這些熱點(diǎn)往往是由電路設(shè)計(jì)缺陷、局部電流過大或器件老化等問題引起的。通過對(duì)熱點(diǎn)的檢測(cè)和分析，工程師能及時(shí)發(fā)現(xiàn)芯片潛在的故障風(fēng)險(xiǎn)，為優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)、改進(jìn)制造工藝提供重要依據(jù)。同時(shí)，該顯微鏡還能測(cè)量裸芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的溫度，也就是結(jié)溫。結(jié)溫是評(píng)估芯片性能和可靠性的重要參數(shù)，過高的結(jié)溫會(huì)縮短芯片壽命，影響其穩(wěn)定性。熱紅外顯微鏡憑借高空間分辨率的熱成像能力，可實(shí)現(xiàn)對(duì)結(jié)溫的測(cè)量，幫助研發(fā)人員更好地掌握芯片的熱特性，從而制定合理的散熱方案，提升芯片的整體性能與可靠性。龍崗區(qū)熱紅外顯微鏡

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