例如，當某批芯片在測試中發現漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說，我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續問題的解決奠定了不可或缺的基礎。

在芯片研發階段，它能幫助研發人員快速鎖定設計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產過程中，它能及時發現批量性失效的源頭，為生產線調整爭取寶貴時間，降低損失；在產品應用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發，還是成熟工藝的量產檢測，我們的設備都以其獨特的技術優勢，成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環，為半導體企業的高效運轉和技術升級提供有力支撐。 紅外成像可以不破壞芯片封裝，嘗試定位未開封芯片失效點并區分其在封裝還是 Die 內部，利于評估芯片質量。自銷微光顯微鏡批量定制

可探測到亮點的情況

一、由缺陷導致的亮點結漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應（Hot Electrons）閂鎖效應（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態的 MOS 管 / 動態 CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 顯微微光顯微鏡儀器為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結構選裝，滿足不同微光探測需求。

失效背景調查就像是為芯片失效分析開啟 “導航系統”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續工作奠定基礎。收集芯片型號是首要任務，不同型號的芯片在結構、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎信息。同時，了解芯片的應用場景也不可或缺，是用于消費電子、工業控制還是航空航天等領域，不同的應用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。

失效模式的收集同樣關鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關。失效比例的統計也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設計缺陷或制程問題；如果只是個別芯片失效，那么應用不當的可能性相對較大。

致晟光電作為專注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應用的技術團隊，設備在微小目標定位、熱分布成像等場景中具備高分辨率優勢，可廣泛應用于芯片、PCB板、顯示屏等消費電子元器件的檢測環節，為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數據。

為讓您更直觀了解設備的定位精度與適用性，我們誠摯邀請貴單位參與樣品測試合作：若您有需要進行微光定位（如細微結構位置標記、表面瑕疵定位）或熱紅外定位（如元器件發熱點分布、溫度梯度成像）的樣品，可郵寄至我方實驗室。我們將提供專業檢測服務，輸出包含圖像、坐標、數值等在內的定位數據報告（注：報告呈現客觀檢測結果，不做定性或定量結論判斷）。測試過程中，我們會根據您的需求調整檢測參數，確保定位數據貼合實際應用場景。若您對設備的定位效果認可，可進一步洽談設備采購或長期檢測服務合作。 我司微光顯微鏡可檢測 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點，為質量控制與維修提供高效準確方法。

RTTLIT E20 微光顯微分析系統（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備，其系統搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號，實現納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術，設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數據支撐，助力優化生產工藝、提升產品可靠性。從芯片研發到量產質控，RTTLIT E20 以穩定可靠的性能，為半導體器件全生命周期的質量保障提供科學解決方案，是半導體行業提升良率的關鍵檢測利器。我司微光顯微鏡分析 PCB/PCBA 失效元器件周圍光子，可判斷其是否失效及類型位置，提高維修效率、降低成本。低溫熱微光顯微鏡運動

其內置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數據。自銷微光顯微鏡批量定制

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術常被集成于同一檢測系統，合稱為光發射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術的獨特優勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發的電阻變化特性實現精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區域光信號捕捉受限的不足。

自銷微光顯微鏡批量定制