需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。

1.失效背景調查收集芯片型號、應用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復現，區分設計缺陷、制程問題或應用不當（如過壓、ESD）。

2.電性能驗證使用自動測試設備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復現失效，記錄關鍵參數（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區域（如特定功能模塊）。 針對光器件，能定位光波導中因損耗產生的發光點，為優化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關鍵數據。自銷微光顯微鏡內容

例如，當某批芯片在測試中發現漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環節提供關鍵前提。可以說，我們的設備是半導體行業失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的分析效率，為后續問題的解決奠定了不可或缺的基礎。

在芯片研發階段，它能幫助研發人員快速鎖定設計或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產過程中，它能及時發現批量性失效的源頭，為生產線調整爭取寶貴時間，降低損失；在產品應用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發，還是成熟工藝的量產檢測，我們的設備都以其獨特的技術優勢，成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環，為半導體企業的高效運轉和技術升級提供有力支撐。 制造微光顯微鏡分析通過調節探測靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測需求，靈活應對多樣的檢測場景。

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復雜多樣，既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發。

與短路類似，芯片內部發生漏電時，漏電路徑中會伴隨微弱的光發射現象——這種光信號的強度往往遠低于短路產生的光輻射，對檢測設備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力，能夠捕捉到漏電產生的極微弱光信號。通過對芯片進行全域掃描，可將漏電區域以可視化圖像的形式清晰呈現，使工程師能直觀識別漏電位置與分布特征。

這一技術不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等），更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復措施（如優化工藝參數、改進封裝設計）提供依據，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發現部分芯片的邊角區域存在持續穩定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數分析，確認該區域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據此對這批次芯片進行篩選，剔除了存在漏電隱患的產品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發的設備功耗異常、發熱甚至燒毀等風險。但歐姆接觸和部分金屬互聯短路時，產生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進行檢測。。

當芯片內部存在漏電缺陷，如結漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復合異常情況，像閂鎖效應、熱電子效應引發的失效，以及器件在飽和態晶體管、正向偏置二極管等工作狀態下的固有發光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關的失效提供關鍵分析依據。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關的芯片問題。金屬互聯短路、電源與地短接會導致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區域因設計缺陷引發的電流集中導致的熱分布異常，以及封裝或散熱結構失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 漏電結和接觸毛刺會產生亮點，這些亮點產生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。工業檢測微光顯微鏡設備制造

國外微光顯微鏡價格高昂，常達上千萬元，我司國產設備工藝完備，技術成熟，平替性價比高。自銷微光顯微鏡內容

此外，可靠的產品質量是企業贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業能確保交付給客戶的芯片具備穩定的性能和較高的可靠性，減少因產品故障導致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質量的堅守，會逐漸積累成企業的品牌口碑，使客戶在選擇供應商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業，從而增強企業的市場競爭力。

微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導體企業提升產品質量、加快研發進度、筑牢品牌根基的戰略資產。在全球半導體產業競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設備，將幫助企業在技術創新與市場爭奪中持續領跑，構筑起難以復制的核心競爭力。 自銷微光顯微鏡內容