芯片制造工藝復雜精密，從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環，是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術，能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差，都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉化為生產成本的降低，讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關鍵，可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點。高分辨率微光顯微鏡探測器

我司專注于微弱信號處理技術的深度開發與場景化應用，憑借深厚的技術積累，已成功推出多系列失效分析檢測設備及智能化解決方案。更懂本土半導體產業的需求，軟件界面貼合工程師操作習慣，無需額外適配成本即可快速融入產線流程。

性價比優勢直擊痛點：相比進口設備，采購成本降低 30% 以上，且本土化售后團隊實現 24 小時響應、48 小時現場維護，備件供應周期縮短至 1 周內，徹底擺脫進口設備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產微光顯微鏡，為芯片質量把關，讓失效分析更高效、更經濟、更可控！ 直銷微光顯微鏡市場價分析低阻抗短路時，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點。

半導體企業購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內部微弱發光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優化生產工藝、提升芯片性能提供關鍵數據支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發周期、降低返工成本，同時通過提升產品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業在技術迭代與市場爭奪中保持優勢的邏輯。

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合，產生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結處也能產生強場，也能觀察到亮點。針對納米級半導體器件，搭配超高倍物鏡，能分辨納米尺度的缺陷發光，推動納米電子學研究。

得注意的是，兩種技術均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區一側觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據芯片結構、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統先通過EMMI與OBIRCH的協同掃描定位可疑區域，隨后結合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學顯微鏡的細節觀察，進一步界定缺陷的物理形態（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗證-溯源”的完整閉環，使得PEM系統在半導體器件與集成電路的失效分析領域得到了關鍵的應用。微光顯微鏡的便攜款桌面級設計，方便在生產線現場快速檢測，及時發現產品問題，減少不合格品流出。半導體失效分析微光顯微鏡備件

我司微光顯微鏡可檢測 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點，為質量控制與維修提供高效準確方法。高分辨率微光顯微鏡探測器

RTTLIT E20 微光顯微分析系統（EMMI）是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備，其系統搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號，實現納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術，設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數據支撐，助力優化生產工藝、提升產品可靠性。從芯片研發到量產質控，RTTLIT E20 以穩定可靠的性能，為半導體器件全生命周期的質量保障提供科學解決方案，是半導體行業提升良率的關鍵檢測利器。高分辨率微光顯微鏡探測器