考慮到部分客戶的特殊應用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務。無論是設備的功能模塊調整、性能參數優化，還是外觀結構適配，我們都能根據您的具體需求進行專屬設計與研發。憑借高效的研發團隊和成熟的生產體系，定制項目通常在 2-3 個月內即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務，期待與您攜手共進，共創佳績。晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

半導體材料分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體，而Si是典型的直接帶隙半導體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當電子與空穴復合時，電子會彈射出一個光子，該光子的能量為1.12eV，根據波粒二象性原理，該光子的波長為1100nm，屬于紅外光區。通俗的講就是當載流子進行復合的時候就會產生1100nm的紅外光。這也就是產生亮點的原因之一：載流子復合。所以正偏二極管的PN結處能看到亮點。如果MOS管產生latch-up現象，（體寄生三極管導通）也會觀察到在襯底處產生熒光亮點。半導體微光顯微鏡設備與原子力顯微鏡聯用時，微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發光信息，便于關聯材料的結構與電氣缺陷。

EMMI 微光顯微鏡作為集成電路失效分析的重要設備，其漏電定位功能對于失效分析工程師而言是不可或缺的工具。在集成電路領域，對芯片的可靠性有著極高的要求。在芯片運行過程中，微小漏電現象較為常見，且在特定條件下，這些微弱的漏電可能會被放大，導致芯片乃至整個控制系統的失效。因此，芯片微漏電現象在集成電路失效分析中占據著至關重要的地位。此外，考慮到大多數集成電路的工作電壓范圍在3.3V至20V之間，工作電流即便是微安或毫安級別的漏電流也足以表明芯片已經出現失效。因此，準確判斷漏流位置對于確定芯片失效的根本原因至關重要。

這一技術不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結邊緣缺陷等），更能在芯片量產階段實現潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復措施（如優化工藝參數、改進封裝設計）提供依據，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發現部分芯片的邊角區域存在持續穩定的微弱光信號。結合芯片的版圖設計與工藝參數分析，確認該區域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導致漏電。技術團隊據此對這批次芯片進行篩選，剔除了存在漏電隱患的產品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發的設備功耗異常、發熱甚至燒毀等風險。漏電結和接觸毛刺會產生亮點，這些亮點產生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。

芯片制造工藝復雜精密，從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環，是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術，能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差，都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉化為生產成本的降低，讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨特依據，豐富檢測維度。高分辨率微光顯微鏡運動

我司微光顯微鏡可檢測 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金屬線路缺陷和短路點，為質量控制與維修提供高效準確方法。半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比

我司專注于微弱信號處理技術的深度開發與場景化應用，憑借深厚的技術積累，已成功推出多系列失效分析檢測設備及智能化解決方案。更懂本土半導體產業的需求，軟件界面貼合工程師操作習慣，無需額外適配成本即可快速融入產線流程。

性價比優勢直擊痛點：相比進口設備，采購成本降低 30% 以上，且本土化售后團隊實現 24 小時響應、48 小時現場維護，備件供應周期縮短至 1 周內，徹底擺脫進口設備 “維護慢、成本高” 的困境。用國產微光顯微鏡，為芯片質量把關，讓失效分析更高效、更經濟、更可控！ 半導體失效分析微光顯微鏡與光學顯微鏡對比