此外，可靠的產品質量是企業贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴格檢測，企業能確保交付給客戶的芯片具備穩定的性能和較高的可靠性，減少因產品故障導致的客戶投訴和返工或者退貨風險。這種對質量的堅守，會逐漸積累成企業的品牌口碑，使客戶在選擇供應商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業，從而增強企業的市場競爭力。

微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導體企業提升產品質量、加快研發進度、筑牢品牌根基的戰略資產。在全球半導體產業競爭日趨白熱化的當今，配備先進的微光顯微鏡設備，將幫助企業在技術創新與市場爭奪中持續領跑，構筑起難以復制的核心競爭力。 其內置的圖像分析軟件，可測量亮點尺寸與亮度，為量化評估缺陷嚴重程度提供數據。半導體失效分析微光顯微鏡圖像分析

InGaAs微光顯微鏡與傳統微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對復合產生的光子及熱載流子作為探測信號源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統微光顯微鏡，呈現出更高的探測靈敏度，并且其探測波長范圍擴展至900nm至1700nm，而傳統微光顯微鏡的探測波長范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長檢測能力，從而拓寬了其應用領域。進一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優勢使其在多個科研與工業領域展現出獨特價值。在半導體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測到更長的波長，這對于分析材料的缺陷、雜質以及能帶結構等方面具有重要意義。IC微光顯微鏡規格尺寸在超導芯片檢測中，可捕捉超導態向正常態轉變時的異常發光，助力超導器件的性能優化。

需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的失效背景調查和電性能驗證工作，能夠為整個失效分析過程找準方向、提供依據，從而更高效、準確地找出芯片失效的原因。

1.失效背景調查收集芯片型號、應用場景、失效模式（如短路、漏電、功能異常等）、失效比例、使用環境（溫度、濕度、電壓）等。確認失效是否可復現，區分設計缺陷、制程問題或應用不當（如過壓、ESD）。

2.電性能驗證使用自動測試設備（ATE）或探針臺（ProbeStation）復現失效，記錄關鍵參數（如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移）。對比良品與失效芯片的電特性差異，縮小失效區域（如特定功能模塊）。

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復合效應而發射特定波長的光子。這些光子經過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進行疊加處理，就可以精確地定位發光點的位置，實現對失效點的精確定位。進一步地，為了提升定位的準確性，可采用多種圖像處理技術進行優化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術，突出顯示發光點的邊緣特征，從而提高定位精度。漏電結和接觸毛刺會產生亮點，這些亮點產生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。

微光顯微鏡下可以產生亮點的缺陷，

如：1.漏電結(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。

當然，部分情況下也會出現樣品本身的亮點，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出現亮點時應注意區分是否為這些情況下產生的亮點另外也會出現偵測不到亮點的情況，

如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯短路；3.表面反型層；4.硅導電通路等。

若一些亮點被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發光，且需要減薄及拋光處理。 通過調節探測靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測需求，靈活應對多樣的檢測場景。實時成像微光顯微鏡牌子

支持自定義檢測參數，測試人員可根據特殊樣品特性調整設置，獲得較為準確的檢測結果。半導體失效分析微光顯微鏡圖像分析

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產生熒光，然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 半導體失效分析微光顯微鏡圖像分析